02
非晶硅沉积
在湿化学处理之后，硅片进入沉积阶段。这一步骤十分关键，因为pn结是在表面形成的并且沉积层也决定了钝化的效果，因此这是决定HJT性能好坏的关键。现行的非晶硅沉积主要有两种工艺方法：HWCVD(热丝化学气象沉积)与PECVD：
1）HWCVD:日本松下公司目前拥有的1GW产能均采用HWCVD沉积本征非晶硅与掺杂非晶硅，此类工艺优点是对界面轰击较小，薄膜质量较好，对硅片钝化较好，但是其劣势也比较明显，均匀性较差并且维护成本较高。
2）PECVD:涉及本征和掺杂非晶硅薄膜的多层堆叠，并在纳米尺度上对其进行控制。PECVD现在主要分为射频等离子体化学气相沉积(RFCVD)与甚高频等离子体化学气象沉积(VHFCVD)，两者差异只是在射频频率上。总的来说RFCVD沉积非晶硅均匀性较好，薄膜氢含量较高，但是沉积非晶硅薄膜悬挂键和Si-Si弱键较多，成膜质量不如VHFCVD，并且对硅衬底的轰击也强于VHFCVD。VHFCVD沉积非晶硅均匀性略差于RFCVD，但是薄膜质量较好，对衬底轰击较小，但是由于受制于等离子体驻波效应以及趋肤效应难以做成大面积chamber，因此VHFCVD的产能会受一定的限制。
总的来说，PECVD为主流技术方向，目前越来越多的设备厂家开始攻克这一难题。
03
TCO薄膜沉积
在HJT工艺中沉积的后半部分涉及制备透明导电氧化层TCO薄膜，用作减反层以及横向输运载流 子至电极的导电层。TCO薄膜位于HJT电池的两侧。银浆也可以完全覆盖在HJT电池的整个背面区域，但这会形成单面HJT电池，而今天的HJT技术旨在从双面电池方面获益。
TCO薄膜通常应用溅射的方法在PVD设备中完成。制备TCO薄膜也是HJT电池生产工艺中非常重要的一步。这里，必须注意保持电池背面的非晶硅薄膜的钝化特性。TCO薄膜的质量影响横向电荷收集。
目前，沉积HJT电池TCO薄膜的方法主要有两种：RPD(反应等离子体沉积)和PVD(物理化学气象沉积)。
1）RPD工艺主要是采用日本住友重工RPD设备匹配自己生产的IWO(氧化铟掺钨)靶材制备IWO透明导电薄膜，该方法相对于传统PVD工艺制备ITO效率上0.5-1%的优势。
2）PVD工艺主要采用直流磁控溅射制备TCO，现在HJT电池采用PVD工艺制备的TCO一般是ITO，但是由于PVD工艺带来了粒子高轰击，损伤较大，同时ITO光电学性能差于IWO导电薄膜。
04
金属化
由于HJT电池结构与常规电池完全不同，因此 HJT的金属化工艺也不同。HJT电池采用非晶硅薄膜，将艺温度限制在200℃至220℃的低温环境。HJT电池通常使用可在低温下固化的特殊银浆。银浆是通过将银加入到热塑性聚合物体系中得到的，但有一定的局限性，如加工时间长和电阻较高。后者导致银浆沉积量较高，才能使导电率保持在相同水平。这些缺点促进了替代金 属化方法的发展，例如电镀。
另一个关键的方面是，金属化工艺的选择与组件生产中的互连技术密切相关。因此，在选择HJT电池的表面金属化技术时，必须认真考虑电池片互联问题。电镀铜和丝网印刷是HJT金属化的两种主要方法。
01
丝网印刷
截至目前，丝网印刷是太阳能电池金属化的主要手段。丝网印刷技术是光伏制造商的普遍采用的工艺，与传统晶体硅电池差异较小，均采用普通的钢丝复合网，具体的网版相关参数也基本一致。但是HJT电池正背面的网版在细栅线条数会有一些差异，一般背面细栅线条数是正面的两倍左右。
HJT电池丝印与常规晶体硅的差异主要体现在银浆上，常规晶体硅电池采用高温银浆，高温烧结后通过银和硅衬底隧穿导电，烧结温度一般在950°C。而低温银浆是通过树脂包裹银颗粒与TCO接触隧穿导电，银颗粒之间在固化后也能通过隧穿导电，低温银浆固化(烧结)温度一般在200°C左右。
虽然低温固化浆料的成本与常规工艺没有太大差别，但高体电阻率需要较厚的浆料沉积层，这使得浆料成本增加。但是在过去十年中，浆料制造商已经能够显著降低体电阻率。根据CSEM研发中心的技术论文，随着由多峰分布的薄片和颗粒组成的银浆料的改进，最佳的体积电阻率从2009年的18μΩ?cm降至 2018年的约三分之一（即6μΩ?cm左右）。现在，银浆在200℃固化10分钟和30分钟后，比电阻率降低了6μΩ?cm和5μΩ?cm，而少数常规浆料在200℃固化5-10分钟后达到了更低的4-4.5μΩ.cm。这仅为1.58μΩ?cm的纯银体电阻率的三倍。
02
电镀
电镀是可替代丝网印刷的一项技术。与丝网印刷一样，电镀也需要进行特定的改进才能使其适用于HJT电池。主要原因是HJT电池表面存在导电的TCO薄膜。在扩散结电池中，钝化和抗反射介电膜用作掩模，使得能够自对准。因此，这里优选电镀，而不是众所周知的光诱导电镀。
电镀的

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电镀
电镀是可替代丝网印刷的一项技术。与丝网印刷一样，电镀也需要进行特定的改进才能使其适用于HJT电池。主要原因是HJT电池表面存在导电的TCO薄膜。在扩散结电池中，钝化和抗反射介电膜用作掩模，使得能够自对准。因此，这里优选电镀，而不是众所周知的光诱导电镀。
电镀的优点是可实现双面电镀。这意味着电池正背面金属化可以同时完成，这也与HJT双面电池的本质相符合。HJT电池的电镀是基于种子层栅线的方法，它可以通过几种方式实现。
CSEM研究中心的论文讨论了三种处理途径。一种是在整个硅片表面上沉积种子层栅线并施加有机电镀掩模。另一种方法是使用电介质作为掩模来施加种子层 栅线，其中通过图案化溅射的种子层或通过印刷金属浆料来形成导电层栅格。
电镀的另一个优点是它可以与标准的基于焊接的组件互连技术结合使用。尽管电镀有这么多优点，但该技术相对复杂。这就是为什么行业内大多数仍然采用基于低 温银浆的丝网印刷来进行HJT电池的金属化工艺。
04
HJT光伏组件生产
HJT技术在组件方面面临几种选择。组件生产的重要步骤是互连和层压。对于层压，HJT光伏组件不是在于生产工艺的变化而是有关加工额外的物料清单（BOM）需要更改。
01
电池片互连
当涉及电池片互连工艺时，可以选择改变工艺和材料，如上述金属化部分中简要讨论的那样。虽然有一些限制，但光伏焊带的焊接（标准组件制造中互连 的主流工艺）也是HJT光伏组件生产中最常用的方法，至少初始生产阶段是这样。除了需要在电池级别使用大量浆料外，该方法还需要将焊接温度降低至低 于200℃。几乎每一个串焊设备供应商都支持低温加工工艺。
02
焊接互连
对于采用焊带的互连技术，通过使用导电粘合剂或导电膜可以减少银浆的用量。这些是装入热固性环氧树脂基料中的金属填料，以及一些固化和稀释的添加剂。最终形式是胶状物质。它适用于将焊带固定到太阳能电池上，并在低于120℃的温度下固化后形成永久性粘合。
03
SWCT
MeyerBurger提供了替代传统串焊互连技术的多线互连先进技术。它被称为SmartWire连接技术(SWCT），最初由Day4Energy开发，后被MeyerBurger收购。将低熔点合金涂层的细金属导线嵌入到聚合物箔中用作互连介质，以此替代光伏焊带。将该金属箔放置在电池上，并进行堆叠层压，在此期间金属箔与电池的表面金属化结合，完成互连过程。这种低温工艺非常适用于HJT电池。
CSEM研究中心评估了所有互连技术，如标准焊接，导电粘合剂，镀铜和SWCT技术。最终认为使用SWCT技术进行电池片互连是将HJT电池集成至组件中的最佳选择。该研究中心制作了有关互连技术成本的统计分析（见图表），根据该图表，5主栅电池的金属化成本约为44欧分，而可靠的SWCT工艺每瓦成本约为27欧分。