主要参数
SEM分辨率Resolution： 1.0nm @ 15kV 1.9nm @ 1kV 放大倍数Mag.：12 ~ 1000,000x 加速电压EHT：0.1 ~ 30kV FIB分辨率Resolution： 2.5nm @ 30kV 放大倍数Mag.：300×～ 500,000× 加速电压EHT：1.0 ~ 30Kv
主要功能
1. 场发射扫描电镜（SEM）：各种材料形貌观察和分析，如金属、半导体、陶瓷、高分子材料、有机聚合物等； 2.X射线能谱分析仪（EDS）：材料微区成分分析；MnKa峰的半高宽优于127eV；CKa峰的版高宽优于56Ev;FKa峰的半高宽优于64eV；元素Be4-U92; 3.3D背散射电子取向成像系统（EBSD）：多晶材料的晶体取向和织构分析和3D重构；空间分辨率：优于50nm；探测器灵敏度： 加速电压在3KV时，束流小于50pA能采集到花样；解析速度最大可达600点/s；测试能谱和EBSD 同步采集和一体化功能，选取实际样品进行三维EDS & EBSD测试； 4.聚焦离子束系统（FIB）：材料微纳结构的样品制备，包括：SEM在线观察下制备TEM样品、材料微观截面截取与观察、样品微观刻蚀与沉积等。https://www.zhaowoce.com/device/share-1191.html
SEM分辨率Resolution： 1.0nm @ 15kV 1.9nm @ 1kV 放大倍数Mag.：12 ~ 1000,000x 加速电压EHT：0.1 ~ 30kV FIB分辨率Resolution： 2.5nm @ 30kV 放大倍数Mag.：300×～ 500,000× 加速电压EHT：1.0 ~ 30Kv
主要功能
1. 场发射扫描电镜（SEM）：各种材料形貌观察和分析，如金属、半导体、陶瓷、高分子材料、有机聚合物等； 2.X射线能谱分析仪（EDS）：材料微区成分分析；MnKa峰的半高宽优于127eV；CKa峰的版高宽优于56Ev;FKa峰的半高宽优于64eV；元素Be4-U92; 3.3D背散射电子取向成像系统（EBSD）：多晶材料的晶体取向和织构分析和3D重构；空间分辨率：优于50nm；探测器灵敏度： 加速电压在3KV时，束流小于50pA能采集到花样；解析速度最大可达600点/s；测试能谱和EBSD 同步采集和一体化功能，选取实际样品进行三维EDS & EBSD测试； 4.聚焦离子束系统（FIB）：材料微纳结构的样品制备，包括：SEM在线观察下制备TEM样品、材料微观截面截取与观察、样品微观刻蚀与沉积等。https://www.zhaowoce.com/device/share-1191.html
