开关电源作为电子产品的“心脏”，发挥着提供动力的作用。今天让我们一起来认识下有效导通关断NMOS管的“窍门”。
NMOS管的主回路电流方向为D极到S极，导通条件为VGS有一定的压差，即VG-VS>VTH；PMOS管的主回路电流方向为S极到G极，导通条件为VSG有一定的压差，即VS-VG>VTH。故一般把NMOS作为下管，S极接地，只要给G极一定电压即可控制其导通关断；把PMOS作为上管，S极接VIN，G极给个低电压即可导通。当然NMOS管也可作为上管，但需要增加自举驱动电路。
对于一些拓扑，比如Buck、Boost、Buck-Boost这些用NMOS作为上管的拓扑，就没办法直接用刚才说的只给G极一个电平来驱动。假如此时D极接VIN，S极的电压不定，NMOS管截止时为低电平，导通时接近高电平VIN，需要板子上给G极一个更高的电压，但此时板子已无比VIN更高的电平了，那么就可以采用自举驱动电路。电容的选型主要基于其耐压值和容量大小。耐压值要大于等于VCC减去二极管和下MOS管的导通电压。驱动电路上有其他功耗器件由该电容供电，所以要求电容上的电压下跌最好不要超过原先值的10%，这样才能保证驱动电压。
由以上限制和公式三可推出需要Ton <= （Rtotal x C）x ln0.9。由该式可知Ton的最大值与自举电容和自举电阻的大小有关。如果容值太小，其两端的电压降会过大，会出现占空比无法展开的情况。但是容值也不能太大，太大的电容会导致最小Toff变大，电容充不满电也会导致占空比无法展开，并且会导致二极管在充电的时候冲击电流过大。采购MPS产品上官方授权销售的代理唯样商城。
了解完电容后，自举电阻该怎么选型呢?
自举电阻的电压等于充电电流乘以其阻值，所以其耐压值要大于最大充电电流乘以其阻值；同样自举电阻的阻值会影响自举电容充电时间，也会影响占空比, R越大，所需充电时间越长。同时自举电阻阻值的增加会降低上MOS管的驱动电压，增加Cgs的充电时间，从而降低上MOS管导通时的电压电流的变化率和SW波尖峰。