·当向 MOSFET 施加高于绝对最大额定值 BVpss 的电压时，会造成击穿并引发雪崩击穿。
·发生雪崩击穿时，会流过大电流，存在 MOSFET 失效的危险。
· MOSFET 雪崩失效包括短路造成的失效和热量造成的失效。
· dV / dt 失效是 MOSFET 关断时流经寄生电容 Cds 的充电电流流过基极电阻 RB ，使寄生双极晶体管导通而引起短路从而造成失效的现象。
· dV / dt 是单位时间内的电压变化量， Vps 的上升坡度越陡，越容易发生 MOSFET 的 dV / dt 失效问题。
●一般来说，反向恢复特性越差， dV / dt 的坡度 陡，越容易产生 MOSFET 的 dV / dt 失效。