JE,理论最小重复单元3x3x2=18b/b,串行数电,工频2红石刻,可有限堆叠可无限密铺。堆叠上限7层。
五个月前搓的,现在才发。说是固态硬盘,其实只是做了里面的NAND堆栈的基本单元而已。用起来也蛮蛋疼的。
很巧妙的在不同单元间共用了所有的线路,把读取、写入数据线给垂直放置了,顶端读取,底部写入。
同一时间只能读取写入一层的数据。最小写入位宽2b,最小读取位宽2b(注意,此时写入和读取并没有在同两组单元上)。
非工作状态(锁存结构未通电)。示读取控制线(白)、写入控制线(蓝)、读取数据线(黄)、写入数据线(红)。
下图为4个单元密铺的示意图(顶部)。
![](http://tiebapic.baidu.com/forum/w%3D580/sign=abfe7d02a3cd7b89e96c3a8b3f264291/add4effe9925bc3123997c501bdf8db1c91370d7.jpg?tbpicau=2024-07-03-05_605d3ef55ec86045e1a490ba9f638f42)
下图为4个单元密铺的示意图(示写入数据线)。
![](http://tiebapic.baidu.com/forum/w%3D580/sign=9cf954c8ac24b899de3c79305e041d59/541e8894a4c27d1e66da450c5ed5ad6edcc4381f.jpg?tbpicau=2024-07-03-05_aeda3de20679bffd18d7f539a227c56d)
下图为7层密铺的示意图。
![](http://tiebapic.baidu.com/forum/w%3D580/sign=b8729b5a49f431adbcd243317b34ac0f/e2f8fdd3572c11dfa329c1eb262762d0f603c21b.jpg?tbpicau=2024-07-03-05_821efefcf3e1d673e06a18bc75c3ab57)
下图为基本功能单元的结构示意图。
![](http://tiebapic.baidu.com/forum/w%3D580/sign=4894d3da370e0cf3a0f74ef33a44f23d/7bcca464034f78f02ff0e43b3c310a55b2191c24.jpg?tbpicau=2024-07-03-05_d45b419aad88651271b8dfb859e27808)
可以看到控制逻辑和我之前的NAND固态硬盘是一样的,区别只是把每层读取写入线共用了。这个共用的操作使用了台阶只能单向向上传递红石信号的特性,从而在单元内实现共用读写线,而在空间上分离了外部读写线。
后续想改善的话,需要增加层译码器、伪字线等结构。前者负责控制同一时间内只读写一层,后者可以使读写的单元一致化,而不是像现在这样子,读写的单元是错开的。
五个月前搓的,现在才发。说是固态硬盘,其实只是做了里面的NAND堆栈的基本单元而已。用起来也蛮蛋疼的。
很巧妙的在不同单元间共用了所有的线路,把读取、写入数据线给垂直放置了,顶端读取,底部写入。
同一时间只能读取写入一层的数据。最小写入位宽2b,最小读取位宽2b(注意,此时写入和读取并没有在同两组单元上)。
非工作状态(锁存结构未通电)。示读取控制线(白)、写入控制线(蓝)、读取数据线(黄)、写入数据线(红)。
下图为4个单元密铺的示意图(顶部)。
![](http://tiebapic.baidu.com/forum/w%3D580/sign=abfe7d02a3cd7b89e96c3a8b3f264291/add4effe9925bc3123997c501bdf8db1c91370d7.jpg?tbpicau=2024-07-03-05_605d3ef55ec86045e1a490ba9f638f42)
下图为4个单元密铺的示意图(示写入数据线)。
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下图为7层密铺的示意图。
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下图为基本功能单元的结构示意图。
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可以看到控制逻辑和我之前的NAND固态硬盘是一样的,区别只是把每层读取写入线共用了。这个共用的操作使用了台阶只能单向向上传递红石信号的特性,从而在单元内实现共用读写线,而在空间上分离了外部读写线。
后续想改善的话,需要增加层译码器、伪字线等结构。前者负责控制同一时间内只读写一层,后者可以使读写的单元一致化,而不是像现在这样子,读写的单元是错开的。