上一次信息有盲点，这次我会更简单的表述
仿真统一用的a715，进展顺利，80%设计目标达标没什么好说的了主要明确一下进步幅度和新发现，
首先就是提升幅度 性能功耗。
图一（方便阅读附赠机翻），明确提到了n2对n3e，2-1库的对比，性能+13%或者功耗-33%，这其实应该是n2的hd库对比，比较真实一点（从n5对n7的两种库ppt看显然是hd库符合实际）。对比一下n3e的3个库（图末）
其实也有hp库的对比，一般会比较夸大，当年n5就吹牛皮说hp库功耗-38%，这里n2的hp库在a715 0.8v电压仿真下性能+16.4%，功耗-37.2%，“提升”还是非常可观。不过嘛，其实用了和n5当年一样地春秋笔法，电压不一样了。不过这样好歹坐实了gaa提升不虚，不论怎么看性能功耗指标超过了n3的提升，难怪台积电自己都比较乐观。
然后就是n2最大的问题，密度。
去年给的芯片级密度只有10%提升，简直麻了，今年（图三）抬高了预期，写了“＞”15%，对比下n3e的提升，芯片级30%，逻辑60%。n2的密度提升大概只有n3e的一半（多一点）。所以如果涨价太大芯片厂商就很亏了，这也是n2被看衰的最大原因。
最后的篇幅留给n2p，一开始我没理解，后面明白了，他的意思就是，原来这个“背面电源导轨”的技术，就是给n2p专门准备的，专门对BEOL进行了强大的优化。提升幅度非常可观。性能提升两位数了。（当然落地如何大概率会缩水）。然后这个技术会在25年下半年落地，26年配合n2p量产，那是不是实锤了n2就可以在25年上半年左右量产了呢哈哈。
再结合最近ww的新闻，台积电积极准备新竹的2nm工厂，预计最迟25年Q4量产，然后跟进n2p。