三、基本信息
惯例，到手上机先看CDI
①S560

②S1000
从CDI的信息可以得知，S560和S1000的接口均为UASP（Serial ATA）。其中S560的Model Name并没有刷成相应的产品型号名称，而是显示为MAXIO 1102，故不难猜测该方案是选择了MAS1102作为主控，且其支持的标准为ACS-4。
而S1000作为支持10Gbps的产品，最初笔者以为会采用了DRAM-Less方案的主控进行桥接，后来仔细观察发现支持的标准为ACS-2/ATA8-ACS version 4c，并未显示NVMe 1.*，故可以排除NVMe主控桥接方案，这也让笔者想到了之前测过的SMI 2320方案的PSSD。后续笔者会进一步通过相关的软件解析这两款固态U盘的用料信息。
从smartmontools可见，无论是S560还是S1000，由于USB桥接器的阻挡，无法进一步地准确识别S560和S1000相关的smart信息。

为了初步验证S560和S1000的用料信息，笔者分别用MAXIO和SMI的Flash ID软件进行了解析，结果如下所示：
①S560

②S1000
由Flash ID解析的信息可知，S560 1TB的主控是来自MAXIO的MAS1102，NAND则是来自YMTC长江存储3D V4 TLC颗粒，代号为X3-9070，与市面上许多MAP1602主控方案的硬盘颗粒型号相同；S1000 1TB通过SMI的Flash ID可以发现其From smart显示为SM2320，初步验证了笔者的猜想，采用的是来自SMI的2320一体化主控。
后续，笔者通过一些更专业的软件对这两款硬盘的硬件信息进行了分析，如下所示：
①S560

②S1000

根据上述信息不难观察到S560 1TB的颗粒原始坏块总量在89个；S1000则是可以通过SMI 2320的EasyTool工具箱抓取到相关的信息，由图可见S1000颗粒的Flash ID为9B C5 58 71 30 00 00，与上文中S560 1TB的Flash ID一致，故说明S1000用的颗粒和S560是同型号颗粒。同时，可以通过EasyTool工具抓取到S1000的原始颗粒坏块信息，原始坏块总量在93个。无论是S560还是S1000，两者所用的颗粒原始坏块总量均在一个比较低的水准，也从侧面说明本次测试的S560和S1000两款产品用料较好。

四、测试平台及设置
Central Processing Unit：AMD Ryzen 3700X @ 4.4GHz
Motherboard：Micro Star X570 Gaming Plus（BIOS Verizon: 7C37vAE）
Software：Windows 10 Professional 22H2
IO Interface：USB 3.2 Gen 2 Type-C Ports (From AMD® Processor)
Power Measurement Equipment：Power-Z KM001C
由于测试采用的是AMD平台，相关测试数据可能偏低。

五、基本性能测试
① S560




②S1000



从CDM、AS SSD、ATTO和HD Tune的结果可见，S560在轻负载及全盘顺序读写下表现基本能够达到MAS1102 SATA主控的带宽上限；由ATTO的测试结果可以观察到，当其写入块大小超过32KB时，顺序写入基本上能够达到400MB/s，顺序写入基本上能达到450MB/s以上，块大小48MB时出现读写速度下降可能是来源于硬盘过热降速；HD Tune的300G顺序写入测试较为稳定，SLC Cache的大小大致在58GiB左右，缓内顺序写入速度维持在460MB/s，缓外顺序写入速度则是维持在250MB/s，顺序读取的速度则全程维持在450MB/s左右，整体表现良好；由于HD Tune是先进行顺序写入后进行顺序读取，在脏盘状态下其读取速度存在间歇性掉速，这个过程主要来源于主控的垃圾回收操作。
在CDM下测得的S1000顺序读取速度来到了将近1030MB/s，写入速度来到了938MB/s，混合7读3写的速度也有988MB/s。相较于S560，S1000 QD1 T1下4K成绩较为亮眼。在ASS测速跑分软件中，S1000得到了1048的分数，是少有的得分能够超过1000分的移动固态硬盘；ATTO的测试可以得知，当块大小超过512KB后，写入和读取的传输速率波动不大，写入速度基本上保持在893~894MB/s，读取速度基本上保持在980~982MB/s，且未出现明显的掉速现象；但在HD Tune 300G读写的过程中，顺序写入出现了“三段式”的写入曲线，第一段SLC缓内写入速度在880~890MB/s左右，SLC Cache大小为大约在50GB左右，第二段写入速度为560MB/s左右，第三段写入速度则是跌至480MB/s，顺序读取最开始时的速度为780MB/s，读取至90GB后速度进一步升至950MB/s，这种读取现象的原因可能归因于前半段读取时，主控在后台进行垃圾回收（GC）的操作，占用了一定的主控资源，使得其并未达到最大的读写速度。

在HD Tune 300G连续读写测试过程中，笔者也通过HWINFO软件抓取相应的温度传感信息，如下图所示。300G连续写入时，S560的最高温度来到了48℃，S1000的最高温度来到了81℃，接近温度墙。
①S560

②S1000
相比常规的跑分软件，PCMark 8是目前最接近实际使用环境的模拟测试软件，同时也是一套标准化及流水化的测试流程。其中Storage测试项目中涵盖了游戏、办公、图形处理等几个子项目，该测试项目通过在Adobe Creative Suite、Microsoft Office以及一些常见游戏中记录到的轨迹来监控SSD存储设备的性能。
而3DMark存储测试项目通过专门的组件测试来测量SSD和其他存储硬件的游戏性能。它支持所有最新的存储技术，并测试实际、真实世界的游戏性能，如加载游戏、保存进度、安装游戏文件和录制游戏视频流等活动。
笔者此次也通过PCMark 8和3DMark软件来对空盘状态下的S560和S1000进行测试。测试结果如下所示：
①S560


②S1000

在PC Mark8的测试中，S560得分4962分，带宽为244.54MB/s，S1000得分5011分，带宽为326.15MB/s。仔细对比各个项目载入时间的差距，可以发现S560载入时间相较于S1000慢了0.1~4.5s不等，尤其是针对Adobe这类大型项目而言，相应的差距也会进一步地被拉开。在3DMark中，S560的存储基准测试分数为892分，S1000的分数则是直接来到了1428分，但均低于3DMark的平均水准。
由于外接固态U盘受限于桥接主控性能和接口带宽的多重影响，相较于直接挂载在主板上的NVMe硬盘，会有一定程度的读写损耗，反映到实际PCMark 8和3DMark的测试项目中便是加载时间相对延长，带宽速率相应偏低，以及平均存取时间更长。

六、功耗测试
为了更好地读取到PSSD在不同工况下的功耗情况，笔者在采用来自Power-Z，型号为KM001C的功耗仪，期望将S560和S1000相关的功耗数据通过图表的方式更好地展现出来！
(1)上电功耗
①S560

②S1000
本次测试中，利用KM001C分别监控了S560和S1000在上电后14s的功耗表现。其中S560上电的最大上电瞬时功率可以达到1.282W，稳定后的功率为0.971W；S1000的最大上电瞬时功率为0.9851W，稳定后的功率为0.6535W，两者的上电功率基本上维持在一个比较低的水准。
(2)顺序读取&顺序写入功耗
在此部分，笔者通过Windows下的Fio软件分别对S560和S1000的顺序读写速率进行限制，并在QD32 TC1条件下测试全盘顺序读取，采集其稳定后的功耗数据。
①S560

②S1000
在测试中，S560 1TB的Idle功耗大约为0.8051W，最大读取功耗约1.0345W，最大顺序读取速率为535MiB/s（561MB/s），最大写入功耗为1.4470W，最大顺序写入速率为470MiB/s（492MB/s）。同时可以观察到，随着顺序读取速率的增长，S560的功耗曲线较为平稳；顺序写入的功耗曲线接近线性。
S1000 1TB的Idle功耗和上电后稳定电功率相差不大，为0.6017W，最大读取功耗约1.4837W，最大顺序读取速率为975MiB/s（1022MB/s），最大写入功耗为1.5377W，最大顺序写入速率为892MiB/s（935MB/s）。S1000不同速率下的功耗曲线波动程度较大，顺序写入的功耗曲线则接近线性。同时也可以观察到采用SMI 2320的S1000，顺序读取和顺序写入的功率相差不大。
无论是S560还是S100，均与上文CDM QD8 T1测得的顺序读取速率和顺序写入速率相接近，也进一步说明Power-Z KM001C功耗计所带来的性能损失及误差可基本忽略不计。

七、全盘读写&温控测试
在此项测试中，笔者通过Windows下的fio软件分别对S560和S1000 1TB进行全盘顺序读写测试，并通过HWINFO软件记录相应的温度传感器信息。
(1)写入性能测试及相应的温度监控
①S560

②S1000
(2)读取性能测试及相应的温度监控
①S560

②S1000
全盘顺序读取时，S560 1TB的SLC Cache容量大约为83GiB大小，顺序写入开始时能维持在495MiB/s（518.27MB/s）左右，后续则会下降到460MiB/s左右，缓内写入速度的平均速度为459.91MiB/s（481.53MB/s），缓外写入的平均速度为242.78MiB/s（254.19MB/s），全盘顺序写入时最高温度为48℃，并维持到写入结束；S560 1TB全盘顺序读取的平均速度为440MiB/s (462MB/s)，读取曲线基本上能维持在一条直线，但仍会出现小幅度的波动，此时温度从全盘写入时的48℃缓慢地降至47℃，并在47℃~48℃之间反复横跳。
反观S1000，全盘顺序写入的曲线就不太美观了：写入过程中出现了极为剧烈的波动，主要是因为更高的读写速度带来了更大的发热量，以及固件策略较为激进。S1000 1TB的SLC Cache容量大小大约为52.24GiB，此时SLC Cache内的顺序写入速度为891.65MiB/s (933.56MB/s)，写出SLC Cache后的第二段写入速度维持在550~600MiB/s，第三段写入速度维持在460~500MiB/s，当温度达到82℃后，会出现撞墙降速的情况，此时的写入速度会进一步跌至310~360 MiB/s，当温度跌至78℃后，写入速度重新恢复，后反复在“撞墙——掉速——撞墙——掉速”中循环，直至全盘写完。顺序读取开始时，并未达到峰值速度，可能归因于此时主控在后台进行垃圾回收操作，导致读取性能并未完全释放，从最开始的522MiB/s，升至800MiB/s左右，最后升至981MiB/s（1027MB/s），同时由图可知全盘读取的温度基本上维持在74~75℃，实际摸上去上还是比较烫手。

八、结语
1.本期评测的HIKSEMI RAPIDS S560和S1000，无论是在外壳还是内在的质感上都下了功夫，拥有了带磨砂质感的铝合金金属外壳，品质优异的颗粒，顺滑的滑块手感，相较于前一款产品R36C，有较为明显的改善；
2.从个人使用体验上来说，S560表现优于S1000，S560全盘读写的温度最高在48℃，在NTFS系统文件下进行大文件传输时，均能有良好的读写速度表现，能够较好地满足日常拷贝文件的使用需求，整体上虽然有发热但仍在可接受范围，可以在完成读写后随心拔走U盘；反观S1000，待机的温度达到将近50℃，顺序写入时最高温度一度升至到了83℃，对于经常需要拷贝复制一些大文件时，使用体验有待提升；
3.整体上，S560和S1000的固件策略都较为激进，固件垃圾回收（GC）操作很频繁；激进的固件算法带来了更大发热量及功耗，但为了保证随插随用的U盘体验，需要主控及时对垃圾进行回收，使得S560与S1000的调教方向均会更贴近于实际使用场景。

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厉害了

不明觉厉

好帖，下次拆开看

感觉560 1t的cache大了，导致实际缓外速度反而比不过512g，虽然日常用没啥区别，但232要是用同样的固件策略，肯定比128要强，cache小一点估计能跑300+到400的

可拉挤巴倒吧