NVMFD5C672NLT1G：MOSFET - 阵列 60V N通道 晶体管
产品说明：NVMFD5C672NLT1G - 单N通道MOSFET - 阵列晶体管，8-DFN（5x6）双标记（SO8FL-双通道），表面贴装型。
产品属性：
技术：MOSFET（金属氧化物）
配置：2 N-通道（双）
漏源电压（Vdss）：60V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：12A（Ta），49A（Tc）
功率 - 最大值：3.1W（Ta），45W（Tc）
工作温度：-55°C ~ 175°C（TJ）
安装类型：表面贴装型
封装/外壳：8-PowerTDFN
供应商器件封装：8-DFN（5x6）双标记（SO8FL-双通道）
星际金华，明佳达供应，回收NVMFD5C672NLT1G，NVMFS5C442NLAFT1G。
NVMFS5C442NLAFT1G：单 N通道功率 MOSFET 晶体管
产品说明：NVMFS5C442NLAFT1G 是汽车功率 MOSFET晶体管，采用 5x6mm 扁平引线封装，专为紧凑型高效设计而设计，具有高散热性能。
产品属性：
FET 类型：N 通道
技术：MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）：40 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：29A（Ta），130A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：4.5V，10V
功率耗散（最大值）：3.7W（Ta），83W（Tc）
工作温度：-55°C ~ 175°C（TJ）
安装类型：表面贴装型
供应商器件封装：5-DFN（5x6）（8-SOFL）
封装/外壳：8-PowerTDFN，5 引线