除了加强散热，其他还有什么需要注意的不？目前打算用ei25或者ei28变压器，功率按照30瓦往上配置外围元件。dip8准备加足够的散热片。

好小的芯片配50w的变压器。有点奇怪啊

ee28变压器，60t+10t，810uh，12v3a。漏感19uh，2.3%。

初测，12.14v，2.38a，输入33.9w，效率85.2%。
接下来就是加工散热片了。

目前，芯片原边峰值电流检测电阻0.33Ω，换算成峰值电流就是0.5/0.33=1.51a，输出最大功率大概在28-29.5瓦之间。输出电流2.38a，超过这个电流，电压会下降，这是芯片cc模式控制的。
芯片给的数据还是不怎么细致，有些地方还搞不太懂。
比如说频率是会变化的，设计时就不好算输出功率了，只能算个大概：
0.5*0.81*1.51*1.51*30=27.7w。
主要是这个30khz会变。

特意带载几个小时看炸不炸，没炸才来回帖的。
负载是8个5欧10瓦水泥电阻，带载12v1.1a左右。水泥电阻烫手。
整机温度非常满意，刚刚温热，芯片温度比整流管温度低一点。大电容，输出电容，变压器温度都很低。
目测30瓦应该没啥问题。只是现在效率比较低，82%左右，30瓦满载85.4%，有点奇怪。

当然也遇到一些问题。
1，原本，只要减小0.33r的限流电阻，就可以增大输出功率。但是看到芯片热阻这一项，有些郁闷了。rthja不是问题，只要散热片够大！rthjc这才是致命短板。55度每瓦？以芯片结温150、环境40度来算，（150-40）/55=2瓦，也就是说，芯片自身损耗超过2瓦，无论多大散热片都没用。热量集中在芯片内部，散不出来。这是封装惹的祸。
其他公司dip8封装的比如48瓦的top258pn，rthjc11度每瓦，加散热片可以功耗增加到9瓦，而这个只有可怜的2瓦。

2，另一个问题是rcd箝位电路。这个串联的r我经常省略，也没问题，但是到这个芯片就不行了。空载电压飘忽不定，额定12.6v，空载有时候14，有时候15，有时候又是正常12。最后才发现问题。
芯片开关管关断，变压器初级波形（也耦合到辅助绕组）相当一段时间内会因为漏感形成震荡，这就导致芯片在谷底检测电压的时候，震荡导致检测错误的信号，造成稳压环路故障。
哪怕是芯片内部做了一定的检测延迟时间，等待震荡结束，毕竟这个时间比较短。
解决办法是，在原本rcd箝位电路上，串联一只电阻，把这部分震荡能量消耗掉，或者是让他幅度尽快降低到一定程度。
我串联一只220欧电阻，输出正常！省略了一个电阻惹的祸。细节决定成败！