概述（百度翻译）
PW4242 是一款高输入，降压型三节锂电池充电管理集成电路， PW4242 具有涓流，恒流和恒压充电模式，适合锂电池充电管理。在恒压充电模式， PW4242 将电池电压默认在 8.4V，也可以通过外设增加一个外部电阻 RBAT 向上轻微升高；在恒流充电模式，充电电流通过一个外部电阻设置。 对于过放电的锂电池，当电池电压较低时，进行涓流充电。在恒压充电阶段，充电电流逐渐减小，当充电电流降低到设置的恒流充电电流的 16%时，充电结束。在充电结束状态，如果电池电压下降到再充电电压时，自动开始新的充电周期。当输入电压低于电池电压时，PW4242 自动进入睡眠模式。 IC 具有输入低电压锁存，电池端过压保护和充电状态指示等。
特点
⚫ 支持 12V， 18V， 24V 等输出的适配器供电
⚫ 宽输入电压范围： 6.6V 到 30V
⚫ 充电电流可达 3A
⚫ 开关频率： 300KHz
⚫ 充电电压精度： ±1%
⚫ 充电电流由外部检测电阻 RCS 设置
⚫ 涓流充电， 自动再充电功能
⚫ 双 LED 状态指示
⚫ 软启动功能
⚫ 电池端过压保护
⚫ 封装形式： SSOP10
应用
⚫ 手持设备
⚫ 便携式仪器
⚫ 电动工具产品
⚫ 电池充电器
典型应用电路
注意： L1 计算公式位于第 8 页， Q1 选型位于第 6 页， RCS 计算公式：
恒流充电电流𝐼𝐶𝐻（𝐴） = 120𝑚𝑉 ÷ 𝑅𝐶𝑆（𝑚𝛺）
参考电路
1，（VIN=15V，充电电流=1A）
2，（VIN=20V，充电电流=2A）
注： 15V 低输入时， R1 可短接；当电路板空间允许时， C5 用电解电容更佳； RBAT 阻值可微上调充电电压，不用可短接。 R1,C2封装采用 0805。
设计简要：
1， 在典型应用电路图中的加二极管 D2 可用来防止电池电流倒流，防止在输入电源掉电压过低时消耗电池的能量， 同时可降低芯片在睡眠工作状态时的功耗，不加 D2 大约 51uA。
2， 当高输入电压或大充电电流的情况下，如果 PCB 布局布线不合理，或者二极管， Q1 场效应晶体管的寄生电感比较大，在 Q1 场效应晶体管导通或关断瞬间，会产生几十兆赫兹以上的高频振荡， 除了改进 PCB 布局布线以外， 为了抑制高频辐射，可以增加高频抑制电路， 如图中的 R5 和 C4.
3， 在 VFB 管脚和 VBAT 管脚之间串接一个电阻 RBAT,可以提高恒压充电电压， 以抵消电池内阻和连线电阻的电压降，使得电池充电更饱满， 如下图，计算公式： VREG(V) ＝ 8.4＋ 8.996× 10-6× RBAT(Ω)当使用电阻 RBAT 调整充电电压时，由于芯片内部和外部的电阻特性差异及生产时的工艺偏差等原因，可能导致恒压充电电压的精度变差和温度系数变大。 电阻 RBAT 越大，其影响越明显。
PCB 设计指导：
1， 输入滤波电容 CIN 正极要靠近 Q1 场效应晶体管的(S 极)源极；
2， 二极管 D1 和 D2 须靠近电感 L1， 电流检测电阻 RCS 尽量靠近电感 L1；
3， 输出电容 CBAT 靠近电流检测电阻 RCS；
4， CIN,Q1,D1,D2,L1,RCS 的引线要尽量短；
5， Q1， D1， L1 的共同连接处，要尽量面积小，同时够宽可以保证电流通过；
6， 2 脚 GND 管教和 6 脚 COMP 管教的接地端，单独接到系统地， 避免开关噪声影响回路的稳定性；
7， CIN， D1 和 CBAT 三个器件的接地端，要在同一层， 并先接到一起，再接回系统地；
8， 电流检测电阻 RCS 的放置要靠近第 8 管脚和第 7 管脚，并与 IC 在同一层板面。
管脚描述
关联电路参考推荐芯片：
1， 锂电池保护板电路： PW7052。
2， 锂电池升压电路： 9V/2A,12V2A 推荐 PW5012。
3， 锂电池降压电路： PW2162（2A）， PW2163 3A)， PW2335 (3A)。
4， LDO 低功耗稳压 IC 电路： PW6566； 18V 耐压 2uA： PW6218； 40V 耐压 4uA： PW6206 和 PW6513， 80V 耐压 2uA： PW8600。
5， LED 驱动电路： PW4189， PW4115
6， MOS 管相关推荐： PW2300， PW2302A， PW2301A， PW3400A， PW3401A， PW8206A6S， PW8206A8TS， PW3428
MAX 参数
电气特性
（VCC＝ 15V， TA＝－ 40℃ 到 85℃，除非另有注明）
详细描述
PW4242 是 PWM 降压型三节锂电池充电管理集成电路，具有涓流，恒流和恒压充电模式。恒流充电电流由 CSP 管脚和 VBAT 管脚之间的电流检测电阻 RCS 设置。在恒压充电模式，恒压充电电压可以通过 VBAT 管脚和 VFB 管脚之间的电阻向上调整；当 VBAT 管脚直接连接到 VFB 管脚时，恒压充电电压为 8.4V，精度为 1%。当 VCC 管脚电压大于低压锁存阈值，并且大于电池电压时， PW4242正常工作。如果电池电压低于涓流充电阈值，充电器自动进入涓流充电模式，此时充电电流为所设置的恒流充电电流的 17.5%。当电池电压大于涓流充电阈值，充电器进入恒流充电模式，此时充电电流由内部的 120mV 基准电压和一个外部电阻 RCS 设置，即充电电流为 120mV/RCS。当电池电压继续上升接近恒压充电电压时，充电器进入恒压充电模式，充电电流逐渐减小。在充电状态，漏极开路输出 管脚内部的晶体管导通，输出低电平，以指示充电状态。当充电电流减小到恒流充电电流的 16%时，充电结束， DRV 管脚输出高电平。漏极开路输出 管脚内部的晶体管关断，输出为高阻态；另一个漏极开路输出 管脚内部的晶体管导通，输出低电平，以指示充电结束状态。在充电结束状态，如果断开输入电源，再重新接入，将开始一个新的充电周期；如果电池电压下降到再充电阈值，那么也将自动开始新的充电周期。 当输入电压掉电时， PW4242 自动进入睡眠模式，内部电路被关断。
PW4242 内部还有一个过压比较器，当 VBAT 管脚电压由于负载变化或者突然移走电池等原因而上升时，如果 VBAT 管脚电压上升到恒压充电电压的 1.07 倍时，过压比较器动作，关断片外的 P 沟道 MOS 场效应晶体管，充电器暂时停止，直到 VBAT 管脚电压回复到恒压充电电压的 1.02 倍以下。 在某些情况下，比如在电池没有连接到充电器上，或者电池突然断开， VBAT 管脚的电压可能会达到过压保护阈值，此为正常现象。
应用信息
低电压锁存 (UVLO)
芯片内部的低电压锁存电路监测输入电压，当输入电压低于 6.5V(MAX 大值)时，内部电路被关断，PW4242 被禁止工作。
涓流充电
在充电状态，如果电池电压低于恒压充电电压的 66.5%(典型值)时，充电器进入涓流充电模式，此时充电电流为恒流充电电流的 17.5%。
恒流充电电流的设置
恒流充电电流由下式决定：
恒流充电电流𝐼𝐶𝐻（𝐴） = 120𝑚𝑉 ÷ 𝑅𝐶𝑆（𝑚𝛺）
充电结束
在恒压充电模式，充电电流逐渐下降， 当充电电流下降到恒流充电电流的 16%时，充电过程结束，外部 P 型场效应晶体管被关断，充电电流变为零。
自动再充电
充电结束以后，如果输入电源和电池仍然连接在充电器上，由于电池自放电或者负载的原因， 电池电压逐渐下降，当电池电压降低到恒压充电电压的 95.5%时， IC 自动进入充电状态，开始新的充电周期，这样可以保证电池的饱满度保持在 80%以上。
状态指示
PW4242 有两个漏极开路状态指示输出端： CHRG 管脚和 DONE 管脚。在充电状态，管脚被内部晶体管下拉到低电平，在其它状态 管脚为高阻态。在充电结束状态， 管脚被内部晶体管下拉到低电平，在其它状态， 管脚为高阻态。
当电池没有接到充电器时， PW4242 将输出电容充电到恒压充电电压或略高一点，并进入充电结束状态，由于 VBAT 管脚的工作电流对输出电容的放电效应， VBAT 管脚的电压将慢慢下降到再充电阈值， PW4242 再次进入充电状态，这样在 VBAT 管脚形成一个锯齿波形，同时 输出脉冲信号表示没有安装电池。当不用状态指示功能时，将不用的状态指示脚接到地。
下表列明了两个状态指示端口对应的充电器状态。这里假设 LED1 连接到 CHARG 管脚， LED2 连接到 DONE 管脚，其连接方式如图 1 所示。
外部功率管 Q1 驱动
PW4242 的 DRV 管脚用于驱动片外 MOS 场效应晶体管的栅极，该管脚能够提供比较大的瞬态电流以快速开启和关断片外 MOS 场效应晶体管。在驱动 2nF 的负载情况下，上升时间和下降时间典型值为 30nS。一般来讲，一个导通电阻为 35 毫欧， 30V 的 MOS 场效应晶体管的等效电容大约为2nF。 PW4242 内部有钳位电路，以保证 DRV 管脚的低电平比 VCC 管脚的电压低 8V(MAX 大值)。比如，假设 VCC 的电压为 20V，那么 DRV 管脚的低电平为 MAX 小 12V。
回路补偿
为了保证电流调制回路和电压调制回路的稳定性，需要从 COMP 到地之间串联连接一个 120Ω 的电阻和一个 220nF 的瓷片电容。
电池连接检测
PW4242 没有电池连接检测功能。当电池没有连接到充电器上时， PW4242 将输出电容作为电池充电到恒压充电电压或略高后，进入充电结束状态，由于 VBAT 管脚的工作电流对输出电容的放电效应， VBAT 管脚的电压将慢慢下降到再充电阈值， PW4242 再次进入充电状态，充电器将在充电状态和充电结束状态之间循环， 这样在 VBAT 管脚形成一个锯齿状波形，同时输出脉冲信号表示没有安装电池。 建议不要在充电器运行时将电池接入充电器，否则充电器可能处于不确定状态，也可能在短时间内向电池灌入较大电流。
输入电容
输入电容 CIN 对输入电源起滤波作用， 需要吸收在输入电源上产生的纹波电流，所以输入电容必须有足够的额定纹波电流。在 MAX 坏情况下，输入电容的额定 RMS 纹波电流需要达到充电电流的二分之一。
输出电容
为了降低输出端的纹波电压和改善瞬态特性，输出电容 CBAT 应该选择串联等效电阻(ESR)较小的电容。 输出电容建议由下面两个电容并联组成：
1， 电解电容：电容值 10uF
2， 陶瓷电容：电容值在 1uF 到 10uF
输出电容只使用陶瓷电容时，建议使用两至三个 22uF 的陶瓷电容并联，同时耐压选择 25V 起和MAX 小 0805 封装。
电感的选择
在正常工作时，电感瞬态电流是周期性变化的。在 P 沟道 MOS 场效应晶体管导通期间，输入电压对电感充电， 电感电流增加；在 P 沟道 MOS 场效应晶体管关断期间，电感向电池放电，电感电流减小。电感的纹波电流随着电感值的减小而增大，随着输入电压的增大而增大。较大的电感纹波电流会导致较大的纹波充电电流和磁损耗。所以电感的纹波电流应该被限制在一个合理的范围内。
电感的纹波电流可由下式估算：
△ IL = 1 ÷ (0.3 × L) × 8.4 × (1 - 8.4 ÷ VCC)
注意： L 是电感值， VCC 是输入电压
在选取电感值时，可将电感纹波电流限制在△IL≤0.3× ICH， ICH 是充电电流。请留意 MAX 大电感纹波电流△IL 出现在输入电压 MAX 大值和电感 MAX 小值的情况下。
除了上述的公式，电感值应该同时满足下面公式要求：
电感建议为贴片屏蔽电感。
MOSFET 的选择
PW4242 的电路中的 Q1 是一个 P 沟道 MOS 场效应晶体管。选择 MOS 场效应晶体管时应综合考虑转换效率， MOS 场效应晶体管功耗以及 MAX 高温度。在芯片内部，栅极驱动电压被钳位在 6.3V(典型值)，可以使用低开启电压的 P 沟道 MOS 场效应晶体管。所以需要留意该 MOS 场效应晶体管的击穿电压 BVDSS 要大于 MAX 高输入电压。
选择 P 沟道 MOS 场效应晶体管时需要考虑的因素包括导通电阻 Rds(on)，栅极总电荷 Qg，反向传导电容 CRSS，输入电压和 MAX 大充电电流。MOS 场效应晶体管的 MAX 大功耗可以用下式来近似：
注：
Pd 是 MOS 场效应晶体管的功耗； VBAT 是电池的 MAX 高电压； VCC 是 MAX 小输入电压
Rds(on)是 P 沟道场效应晶体管在室温(25℃)条件下的导通电阻； ICH 是充电电流
dT 是 P 沟道 MOS 场效应晶体管的实际温度与室温(25℃)的温度差
除了前导通损耗 I2Rds(on)外， MOS 场效应晶体管还有开关损耗，开关损耗随着输入电压的增加而增加。 一般来讲，在输入电压小于 20V 时，导通损耗大于开关损耗，应该优先考虑导通电阻比较小的 MOS 场效应晶体管； 在输入电压大于 20V 时，开关损耗大于导通损耗，应该优先考虑反向传导电容 CRSS 比较小的 MOS 场效应晶体管。一般 CRSS 的值在 MOS 场效应晶体管的技术规格书中都有列明，如果没有明确列明该电容值，可由公式 CRSS = QGD/ΔVDS 来估算。MOS 管参考型号： PW3407 和 PW4435 等，用户可根据具体要求来选用其他适合的型号。
二极管的选择
二极管 D1 和 D2 是为肖特基二极管。二极管通过电流能力至少要比充电电流大；二极管的耐压要大于 MAX 高输入电压的要求。
二极管 D1 和 D2 的选择原则为够用即可，如果所选用二极管的通过电流能力或耐压远远超过所需要的值，由于这样的二极管具有较高的结电容，将增加充电器的开关损耗，降低效率。
睡眠模式电池电流
当输入电压掉电或者输入电压低于电池电压时， PW4242 进入睡眠模式。在睡眠模式电池消耗的电流包括：
(1) 流入 VBAT 管脚和 CSP 管脚的电流，大约为 9uA(VBAT＝ 8V)
(2) 从电池端经过阻流二极管 D2 流到输入电压端的电流，此电流由二极管 D2 的漏电流决定；如果不用二极管 D2，电池电压通过电感， MOS 场效应晶体管的体二极管施加到 PW4242 的VCC 管脚，流入 VCC 管脚电流大约 44uA(VBAT＝ 8V)。
(3) 从电池端经过二极管 D1 流到地(GND)的电流，此电流由二极管 D1 的漏电流决定。
利用 P 沟道场效应晶体管实现输入电源反接保护和防止电池电流倒流
由于二极管的导通压降，当流经电流比较大时，二极管 D2 的功耗比较大。 我们可以利用 P 沟道场效应晶体管 Q2 代替二极管 D2，即可以防止电池电流倒流，又可以实现输入电源反接保护功能。一般情况下， P 沟道场效应晶体管 Q2 的技术要求是： 漏极与源极的耐压须大于 MAX 大输入电源电压， 源极与栅极的耐压须大于电池电压，导通电阻和 MAX 大漏极电流 Id 满足充电电流的要求。电阻 R4 一般选择 22k 欧姆。
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PW4242 是一款高输入，降压型三节锂电池充电管理集成电路， PW4242 具有涓流，恒流和恒压充电模式，适合锂电池充电管理。在恒压充电模式， PW4242 将电池电压默认在 8.4V，也可以通过外设增加一个外部电阻 RBAT 向上轻微升高；在恒流充电模式，充电电流通过一个外部电阻设置。 对于过放电的锂电池，当电池电压较低时，进行涓流充电。在恒压充电阶段，充电电流逐渐减小，当充电电流降低到设置的恒流充电电流的 16%时，充电结束。在充电结束状态，如果电池电压下降到再充电电压时，自动开始新的充电周期。当输入电压低于电池电压时，PW4242 自动进入睡眠模式。 IC 具有输入低电压锁存，电池端过压保护和充电状态指示等。
特点
⚫ 支持 12V， 18V， 24V 等输出的适配器供电
⚫ 宽输入电压范围： 6.6V 到 30V
⚫ 充电电流可达 3A
⚫ 开关频率： 300KHz
⚫ 充电电压精度： ±1%
⚫ 充电电流由外部检测电阻 RCS 设置
⚫ 涓流充电， 自动再充电功能
⚫ 双 LED 状态指示
⚫ 软启动功能
⚫ 电池端过压保护
⚫ 封装形式： SSOP10
应用
⚫ 手持设备
⚫ 便携式仪器
⚫ 电动工具产品
⚫ 电池充电器
典型应用电路
注意： L1 计算公式位于第 8 页， Q1 选型位于第 6 页， RCS 计算公式：
恒流充电电流𝐼𝐶𝐻（𝐴） = 120𝑚𝑉 ÷ 𝑅𝐶𝑆（𝑚𝛺）
参考电路
1，（VIN=15V，充电电流=1A）
2，（VIN=20V，充电电流=2A）
注： 15V 低输入时， R1 可短接；当电路板空间允许时， C5 用电解电容更佳； RBAT 阻值可微上调充电电压，不用可短接。 R1,C2封装采用 0805。
设计简要：
1， 在典型应用电路图中的加二极管 D2 可用来防止电池电流倒流，防止在输入电源掉电压过低时消耗电池的能量， 同时可降低芯片在睡眠工作状态时的功耗，不加 D2 大约 51uA。
2， 当高输入电压或大充电电流的情况下，如果 PCB 布局布线不合理，或者二极管， Q1 场效应晶体管的寄生电感比较大，在 Q1 场效应晶体管导通或关断瞬间，会产生几十兆赫兹以上的高频振荡， 除了改进 PCB 布局布线以外， 为了抑制高频辐射，可以增加高频抑制电路， 如图中的 R5 和 C4.
3， 在 VFB 管脚和 VBAT 管脚之间串接一个电阻 RBAT,可以提高恒压充电电压， 以抵消电池内阻和连线电阻的电压降，使得电池充电更饱满， 如下图，计算公式： VREG(V) ＝ 8.4＋ 8.996× 10-6× RBAT(Ω)当使用电阻 RBAT 调整充电电压时，由于芯片内部和外部的电阻特性差异及生产时的工艺偏差等原因，可能导致恒压充电电压的精度变差和温度系数变大。 电阻 RBAT 越大，其影响越明显。
PCB 设计指导：
1， 输入滤波电容 CIN 正极要靠近 Q1 场效应晶体管的(S 极)源极；
2， 二极管 D1 和 D2 须靠近电感 L1， 电流检测电阻 RCS 尽量靠近电感 L1；
3， 输出电容 CBAT 靠近电流检测电阻 RCS；
4， CIN,Q1,D1,D2,L1,RCS 的引线要尽量短；
5， Q1， D1， L1 的共同连接处，要尽量面积小，同时够宽可以保证电流通过；
6， 2 脚 GND 管教和 6 脚 COMP 管教的接地端，单独接到系统地， 避免开关噪声影响回路的稳定性；
7， CIN， D1 和 CBAT 三个器件的接地端，要在同一层， 并先接到一起，再接回系统地；
8， 电流检测电阻 RCS 的放置要靠近第 8 管脚和第 7 管脚，并与 IC 在同一层板面。
管脚描述
关联电路参考推荐芯片：
1， 锂电池保护板电路： PW7052。
2， 锂电池升压电路： 9V/2A,12V2A 推荐 PW5012。
3， 锂电池降压电路： PW2162（2A）， PW2163 3A)， PW2335 (3A)。
4， LDO 低功耗稳压 IC 电路： PW6566； 18V 耐压 2uA： PW6218； 40V 耐压 4uA： PW6206 和 PW6513， 80V 耐压 2uA： PW8600。
5， LED 驱动电路： PW4189， PW4115
6， MOS 管相关推荐： PW2300， PW2302A， PW2301A， PW3400A， PW3401A， PW8206A6S， PW8206A8TS， PW3428
MAX 参数
电气特性
（VCC＝ 15V， TA＝－ 40℃ 到 85℃，除非另有注明）
详细描述
PW4242 是 PWM 降压型三节锂电池充电管理集成电路，具有涓流，恒流和恒压充电模式。恒流充电电流由 CSP 管脚和 VBAT 管脚之间的电流检测电阻 RCS 设置。在恒压充电模式，恒压充电电压可以通过 VBAT 管脚和 VFB 管脚之间的电阻向上调整；当 VBAT 管脚直接连接到 VFB 管脚时，恒压充电电压为 8.4V，精度为 1%。当 VCC 管脚电压大于低压锁存阈值，并且大于电池电压时， PW4242正常工作。如果电池电压低于涓流充电阈值，充电器自动进入涓流充电模式，此时充电电流为所设置的恒流充电电流的 17.5%。当电池电压大于涓流充电阈值，充电器进入恒流充电模式，此时充电电流由内部的 120mV 基准电压和一个外部电阻 RCS 设置，即充电电流为 120mV/RCS。当电池电压继续上升接近恒压充电电压时，充电器进入恒压充电模式，充电电流逐渐减小。在充电状态，漏极开路输出 管脚内部的晶体管导通，输出低电平，以指示充电状态。当充电电流减小到恒流充电电流的 16%时，充电结束， DRV 管脚输出高电平。漏极开路输出 管脚内部的晶体管关断，输出为高阻态；另一个漏极开路输出 管脚内部的晶体管导通，输出低电平，以指示充电结束状态。在充电结束状态，如果断开输入电源，再重新接入，将开始一个新的充电周期；如果电池电压下降到再充电阈值，那么也将自动开始新的充电周期。 当输入电压掉电时， PW4242 自动进入睡眠模式，内部电路被关断。
PW4242 内部还有一个过压比较器，当 VBAT 管脚电压由于负载变化或者突然移走电池等原因而上升时，如果 VBAT 管脚电压上升到恒压充电电压的 1.07 倍时，过压比较器动作，关断片外的 P 沟道 MOS 场效应晶体管，充电器暂时停止，直到 VBAT 管脚电压回复到恒压充电电压的 1.02 倍以下。 在某些情况下，比如在电池没有连接到充电器上，或者电池突然断开， VBAT 管脚的电压可能会达到过压保护阈值，此为正常现象。
应用信息
低电压锁存 (UVLO)
芯片内部的低电压锁存电路监测输入电压，当输入电压低于 6.5V(MAX 大值)时，内部电路被关断，PW4242 被禁止工作。
涓流充电
在充电状态，如果电池电压低于恒压充电电压的 66.5%(典型值)时，充电器进入涓流充电模式，此时充电电流为恒流充电电流的 17.5%。
恒流充电电流的设置
恒流充电电流由下式决定：
恒流充电电流𝐼𝐶𝐻（𝐴） = 120𝑚𝑉 ÷ 𝑅𝐶𝑆（𝑚𝛺）
充电结束
在恒压充电模式，充电电流逐渐下降， 当充电电流下降到恒流充电电流的 16%时，充电过程结束，外部 P 型场效应晶体管被关断，充电电流变为零。
自动再充电
充电结束以后，如果输入电源和电池仍然连接在充电器上，由于电池自放电或者负载的原因， 电池电压逐渐下降，当电池电压降低到恒压充电电压的 95.5%时， IC 自动进入充电状态，开始新的充电周期，这样可以保证电池的饱满度保持在 80%以上。
状态指示
PW4242 有两个漏极开路状态指示输出端： CHRG 管脚和 DONE 管脚。在充电状态，管脚被内部晶体管下拉到低电平，在其它状态 管脚为高阻态。在充电结束状态， 管脚被内部晶体管下拉到低电平，在其它状态， 管脚为高阻态。
当电池没有接到充电器时， PW4242 将输出电容充电到恒压充电电压或略高一点，并进入充电结束状态，由于 VBAT 管脚的工作电流对输出电容的放电效应， VBAT 管脚的电压将慢慢下降到再充电阈值， PW4242 再次进入充电状态，这样在 VBAT 管脚形成一个锯齿波形，同时 输出脉冲信号表示没有安装电池。当不用状态指示功能时，将不用的状态指示脚接到地。
下表列明了两个状态指示端口对应的充电器状态。这里假设 LED1 连接到 CHARG 管脚， LED2 连接到 DONE 管脚，其连接方式如图 1 所示。
外部功率管 Q1 驱动
PW4242 的 DRV 管脚用于驱动片外 MOS 场效应晶体管的栅极，该管脚能够提供比较大的瞬态电流以快速开启和关断片外 MOS 场效应晶体管。在驱动 2nF 的负载情况下，上升时间和下降时间典型值为 30nS。一般来讲，一个导通电阻为 35 毫欧， 30V 的 MOS 场效应晶体管的等效电容大约为2nF。 PW4242 内部有钳位电路，以保证 DRV 管脚的低电平比 VCC 管脚的电压低 8V(MAX 大值)。比如，假设 VCC 的电压为 20V，那么 DRV 管脚的低电平为 MAX 小 12V。
回路补偿
为了保证电流调制回路和电压调制回路的稳定性，需要从 COMP 到地之间串联连接一个 120Ω 的电阻和一个 220nF 的瓷片电容。
电池连接检测
PW4242 没有电池连接检测功能。当电池没有连接到充电器上时， PW4242 将输出电容作为电池充电到恒压充电电压或略高后，进入充电结束状态，由于 VBAT 管脚的工作电流对输出电容的放电效应， VBAT 管脚的电压将慢慢下降到再充电阈值， PW4242 再次进入充电状态，充电器将在充电状态和充电结束状态之间循环， 这样在 VBAT 管脚形成一个锯齿状波形，同时输出脉冲信号表示没有安装电池。 建议不要在充电器运行时将电池接入充电器，否则充电器可能处于不确定状态，也可能在短时间内向电池灌入较大电流。
输入电容
输入电容 CIN 对输入电源起滤波作用， 需要吸收在输入电源上产生的纹波电流，所以输入电容必须有足够的额定纹波电流。在 MAX 坏情况下，输入电容的额定 RMS 纹波电流需要达到充电电流的二分之一。
输出电容
为了降低输出端的纹波电压和改善瞬态特性，输出电容 CBAT 应该选择串联等效电阻(ESR)较小的电容。 输出电容建议由下面两个电容并联组成：
1， 电解电容：电容值 10uF
2， 陶瓷电容：电容值在 1uF 到 10uF
输出电容只使用陶瓷电容时，建议使用两至三个 22uF 的陶瓷电容并联，同时耐压选择 25V 起和MAX 小 0805 封装。
电感的选择
在正常工作时，电感瞬态电流是周期性变化的。在 P 沟道 MOS 场效应晶体管导通期间，输入电压对电感充电， 电感电流增加；在 P 沟道 MOS 场效应晶体管关断期间，电感向电池放电，电感电流减小。电感的纹波电流随着电感值的减小而增大，随着输入电压的增大而增大。较大的电感纹波电流会导致较大的纹波充电电流和磁损耗。所以电感的纹波电流应该被限制在一个合理的范围内。
电感的纹波电流可由下式估算：
△ IL = 1 ÷ (0.3 × L) × 8.4 × (1 - 8.4 ÷ VCC)
注意： L 是电感值， VCC 是输入电压
在选取电感值时，可将电感纹波电流限制在△IL≤0.3× ICH， ICH 是充电电流。请留意 MAX 大电感纹波电流△IL 出现在输入电压 MAX 大值和电感 MAX 小值的情况下。
除了上述的公式，电感值应该同时满足下面公式要求：
电感建议为贴片屏蔽电感。
MOSFET 的选择
PW4242 的电路中的 Q1 是一个 P 沟道 MOS 场效应晶体管。选择 MOS 场效应晶体管时应综合考虑转换效率， MOS 场效应晶体管功耗以及 MAX 高温度。在芯片内部，栅极驱动电压被钳位在 6.3V(典型值)，可以使用低开启电压的 P 沟道 MOS 场效应晶体管。所以需要留意该 MOS 场效应晶体管的击穿电压 BVDSS 要大于 MAX 高输入电压。
选择 P 沟道 MOS 场效应晶体管时需要考虑的因素包括导通电阻 Rds(on)，栅极总电荷 Qg，反向传导电容 CRSS，输入电压和 MAX 大充电电流。MOS 场效应晶体管的 MAX 大功耗可以用下式来近似：
注：
Pd 是 MOS 场效应晶体管的功耗； VBAT 是电池的 MAX 高电压； VCC 是 MAX 小输入电压
Rds(on)是 P 沟道场效应晶体管在室温(25℃)条件下的导通电阻； ICH 是充电电流
dT 是 P 沟道 MOS 场效应晶体管的实际温度与室温(25℃)的温度差
除了前导通损耗 I2Rds(on)外， MOS 场效应晶体管还有开关损耗，开关损耗随着输入电压的增加而增加。 一般来讲，在输入电压小于 20V 时，导通损耗大于开关损耗，应该优先考虑导通电阻比较小的 MOS 场效应晶体管； 在输入电压大于 20V 时，开关损耗大于导通损耗，应该优先考虑反向传导电容 CRSS 比较小的 MOS 场效应晶体管。一般 CRSS 的值在 MOS 场效应晶体管的技术规格书中都有列明，如果没有明确列明该电容值，可由公式 CRSS = QGD/ΔVDS 来估算。MOS 管参考型号： PW3407 和 PW4435 等，用户可根据具体要求来选用其他适合的型号。
二极管的选择
二极管 D1 和 D2 是为肖特基二极管。二极管通过电流能力至少要比充电电流大；二极管的耐压要大于 MAX 高输入电压的要求。
二极管 D1 和 D2 的选择原则为够用即可，如果所选用二极管的通过电流能力或耐压远远超过所需要的值，由于这样的二极管具有较高的结电容，将增加充电器的开关损耗，降低效率。
睡眠模式电池电流
当输入电压掉电或者输入电压低于电池电压时， PW4242 进入睡眠模式。在睡眠模式电池消耗的电流包括：
(1) 流入 VBAT 管脚和 CSP 管脚的电流，大约为 9uA(VBAT＝ 8V)
(2) 从电池端经过阻流二极管 D2 流到输入电压端的电流，此电流由二极管 D2 的漏电流决定；如果不用二极管 D2，电池电压通过电感， MOS 场效应晶体管的体二极管施加到 PW4242 的VCC 管脚，流入 VCC 管脚电流大约 44uA(VBAT＝ 8V)。
(3) 从电池端经过二极管 D1 流到地(GND)的电流，此电流由二极管 D1 的漏电流决定。
利用 P 沟道场效应晶体管实现输入电源反接保护和防止电池电流倒流
由于二极管的导通压降，当流经电流比较大时，二极管 D2 的功耗比较大。 我们可以利用 P 沟道场效应晶体管 Q2 代替二极管 D2，即可以防止电池电流倒流，又可以实现输入电源反接保护功能。一般情况下， P 沟道场效应晶体管 Q2 的技术要求是： 漏极与源极的耐压须大于 MAX 大输入电源电压， 源极与栅极的耐压须大于电池电压，导通电阻和 MAX 大漏极电流 Id 满足充电电流的要求。电阻 R4 一般选择 22k 欧姆。
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