虽然最关键的研发一环已有小成，但后期量产的良率也是成败的关键，未来要进入量产，势必要达到一定的良率，确保每片3D NAND的可用晶圆数量，成本结构才会具有市场竞争力。
在产能规划方面，业者透露，长江存储已预定5000片产能的机台设备，预计2018年第2季投入试产，进度快慢要看良率而定，一旦长江存储3D NAND大量投片产出，可望打破全球3D NAND门票都掌握在国外公司的局面。
长江存储投入3D NAND技术研发还不到两年，过去大陆NAND Flash技术研发主力是武汉新芯，其透过飞索(Spansion)技术授权，生产NOR Flash和SLC型NAND，长江存储于2016年7月成立之后，并购武汉新芯100%股权，成为大陆存储器研发及生产中心。
根据长江存储先前揭露的计划，32层3D NAND主要是技术打底的动作，大陆真正视为主流的是64层3D NAND技术，这也是目前三星、东芝、美光、SK海力士等NAND Flash大厂主流的技术。若大陆成功发展64层3D NAND技术，且全面大量投产，将有机会与三星、东芝、SK海力士等拉近差距，同时也标志者中国在NAND Flash芯片制造上能够达到国际水平。