如上图,由单片机控制,对全桥整流后的大电容进行放电。当输入的交流电压变小后,让大电容充的电迅速放掉。现在的问题是,去掉那个1N4007W后,整个电路工作非常符合预期要求。加上那个1N4007后,交流电压达到AC220V左右,1N4007通常会炸飞,连带MOS击穿。
请各位大佬分析下,原因在哪里?器件质量是没有问题的。MOS为600V/7.3A的功率MOS。程序也没有跑飞。
补充:
我选的是绕线电阻,绕线电阻皮实,缺点就是电感大。
现在只是技术层面上讨论下,二极管挂掉的原因。
封装没反,炸二极管的时候交流升压,MOS并没有开启。
没有,只是普通的整流桥整流后接大电容,没有反向电流。
那个DC+是全桥整流后经过4*470uf/450V的电容滤波的结果。
请各位大佬分析下,原因在哪里?器件质量是没有问题的。MOS为600V/7.3A的功率MOS。程序也没有跑飞。
补充:
我选的是绕线电阻,绕线电阻皮实,缺点就是电感大。
现在只是技术层面上讨论下,二极管挂掉的原因。
封装没反,炸二极管的时候交流升压,MOS并没有开启。
没有,只是普通的整流桥整流后接大电容,没有反向电流。
那个DC+是全桥整流后经过4*470uf/450V的电容滤波的结果。