如上图，由单片机控制，对全桥整流后的大电容进行放电。当输入的交流电压变小后，让大电容充的电迅速放掉。现在的问题是，去掉那个1N4007W后，整个电路工作非常符合预期要求。加上那个1N4007后，交流电压达到AC220V左右，1N4007通常会炸飞，连带MOS击穿。
请各位大佬分析下，原因在哪里？器件质量是没有问题的。MOS为600V/7.3A的功率MOS。程序也没有跑飞。
补充：
我选的是绕线电阻，绕线电阻皮实，缺点就是电感大。
现在只是技术层面上讨论下，二极管挂掉的原因。
封装没反，炸二极管的时候交流升压，MOS并没有开启。
没有，只是普通的整流桥整流后接大电容，没有反向电流。
那个DC+是全桥整流后经过4*470uf/450V的电容滤波的结果。